Power Semiconductor Devices

High Voltage MOS(500~1050V)

Key Parameters：

BVDSS(V)：500~1050V

ID(A)：0.5~107A

VTH(V)：2.0~5.0V

RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：15~30000mΩ

Polarity：N

Package：TO-252、TO-251、TO-263、TO-220F、TO-220FL、TO-220、TO-223、TO-247、DFN8*8。

Application Market:

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